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了解安规Y1电容和安规Y2电容的区别 电容器种类之多，形同外表型号不同，型号相同但是电压和其它方面还是不一样的，就比如说安规电容。安... 发表于 06-30 09:33 • 770次
灵动微从方案平台化分享MM32SPIN产品系列 灵动微 MM32SPIN是电机与电源相关应用设计的专用产品，使用高性能ArmCortex-M0与Ar.... 潘霞 发表于 06-29 17:09 • 361次
如何将模拟音频信号转换为数字信号输出？ 音频是模拟音频信号需要转换为数字信号输出到type-c端母座中间需要ADC芯片，芯片推荐一下比较好而且便宜的芯片型号主要是... 发表于 06-29 15:56 • 659次
LS1028A 常见问题解决思路 本文硬件平台以凌OK1028A-C开发板为基础进行示例，其他厂商开发平台，因各个厂家设置不同，可供参考使用。内容包含LS1028A... 发表于 06-29 15:04 • 606次
中断服务程序在中断发生时执行，就像在典型的嵌入式系统中一样。系统中的 ISR 或者是用于 PWM.... 星星科技指导员 发表于 06-29 11:29 •
对NuMaker-M2354开发板的正交编码器QEI模块进行测试 1.测试环境MDK V5.26.2.0Nu-Link_Keil_Driver 3.07.7246rENV V1.2.0Python V2.7.13rt-thread-v4.0.4 发表于 06-29 11:23 • 692次
stm32F103C8Tb驱动CS1238,如何测CS1238 Normal功耗以及powerdown功耗？ 1、CS1238 Normal功耗代码怎么写？（下面是我对CS1238引脚的定义，之后就不知道怎么写了，看来指导书，没看懂）CS1238.... 发表于 06-28 17:44 • 565次
用全志A40i打造智能自助洗车机，让洗车体验大大提升 说到“洗车”，以前人们最先想到的应该就是汽车美容店人工洗车和自动洗车。传统的人工洗车方式虽然省心，但也有着诸多的缺点，比... 发表于 06-28 15:01 • 470次
点阵式存储映射的LCD驱动器VK1622S概述及特点 VK1622S是一个点阵式存储映射的lcd驱动器，可支持最大256点（32EGx8COM）的LCD屏.... 2671198128 发表于 06-28 10:59 • 104次
基于51单片机的花样流水灯设计 花样流水灯就是让LED灯按照一定规律进行各种变化，流水灯在生活中也随处可见，例如在建筑物的棱角上装上.... 王子变青蛙_35400519 发表于 06-28 10:29 • 178次
兆易创新与Ashling旗下RiscFree™工具链全面适配 兆易创新与Ashling联合宣布，兆易创新GD32V系列RISC-V内核通用MCU已与Ashling.... 科技绿洲 发表于 06-27 16:02 • 237次
在应用中我们需要一对收发，也就是一个主机和一个从机。主机和从机的驱动部分是一样的（配置文件SPI_N.... 要长高 发表于 06-27 15:30 • 2055次
MSP430F1系列单片机常用模块应用原理 ..MSP430 系列单片机基础时钟主要是由低频晶体振荡器,高频晶体振荡器，数字控制振荡器(DC.... 发表于 06-27 15:06 •
基于单片机的数字电能表设计 [摘要]本设计采用AT89S52单片机作为主控芯片，电能采集选用ADE7755芯片模块，可以对家用2.... 发表于 06-27 15:05 •
嵌入式减少调试时间的3个技巧 断点：为开发人员提供在特定代码行上停止 CPU 执行的能力。高级断点可用于设置条件语句。 发表于 06-27 11:59 • 179次
HOLXI是哪一家的IC呀，用起来怎么样？？ HOLXI是哪一家的MCU呀，有人用过吗？用起来怎么样？？一般用在哪类产品上多一些呀？ 发表于 06-27 10:01 • 959次
点阵式存储映射的LCD驱动器VK1621概述及特点 VK1621是一个点阵式存储映射的LCD驱动器，可支持最大128点(32SEGx4COM)的 LCD.... h1654156058.2710 发表于 06-27 10:00 • 121次
单片机选型 1，单片机选型需要重点关注哪些参数？2，运放选型需要重点关注哪些参数？3，电源芯片选型需要重点关注哪些参数？4，... 发表于 06-27 09:02 • 1635次
CH569中的端点模式寄存器是如何配置成同步传输模式的？ 我目前有以下问题：文档中所说的单缓冲和双缓冲是什么意思？我用端点1进行数据的发送和接收，是使用单缓冲吗？CH569中的端点... 发表于 06-27 07:49 • 132次
用于恶劣工业环境中的以太网物理层解决方案 为了实现 IT 和 OT 网络的无缝连接并释放工业 4.0 的价值，专为工业应用设计的增强型物理.... 星星科技指导员 发表于 06-24 15:12 • 120次
基于单片机开发的拾音灯方案 随着时代全方位的迅速发展，灯光慢慢地从产品质感、美学设计与品质生活相融合。现阶段，各行各业都有LED.... 发表于 06-24 14:47 •
颈椎按摩仪方案的开发原理及功能 长期对着电脑，长时间低头玩手机，越来越多的年轻人患上颈椎病。轻者感到不适，重则疼痛难忍，严重影响着正.... 发表于 06-24 14:46 •
第一种方法用单片机的定时器模拟出PWM。假如你用定时器延时100ms，在50ms之前某一个引脚为低电.... 要长高 发表于 06-24 11:53 • 562次
使用MCU CH32V208的智能落地扇方案 RISC-V青稞V4微处理器，内置高速存储器，最高工作频率可达144MHz 国产芯片替换（IC） 大全 发表于 06-24 09:35 • 182次
CS5213 HDMI转VGA带音频信号输出方案 CS5213是一款用于设计HDMI转VGA音视频信号转换器方案，CS5213设计HDMI转VGA转换.... VX_13699759787 发表于 06-23 16:52 • 215次
带灯电子节拍器芯片—DLT5F03ATF 审核编辑：符乾江 发表于 06-23 15:52 •
特性 •充电器反向连接保护 •蓄电池反接保护 •过热保护 •过充电流保护 •两步过流检测: 在放电电.... 微雨问海棠 发表于 06-23 15:44 • 125次
在节能减排已经成为消费者的新需求时，各种工业企业也开始了转型，配合国家的政策向节能减排发展。在动力部.... jf_32813774 发表于 06-23 15:28 • 198次
基于RT-Thread+RA6M4的智能安防系统详解   无论是在家里还是在公司，安防都尤为的重要，与其亡羊补牢，更重要的是防患于未然。安全是目的，防范是.... 物联网技术分享 发表于 06-23 14:34 • 154次
特性 •充电器反向连接保护 •蓄电池反接保护 •过热保护 •过充电流保护 •两步过流检测: 在放电电.... 微雨问海棠 发表于 06-23 14:02 • 145次
RY8122 18V 2A 500KHz同步降压调节器概述 特性 宽4.5V至18V工作输入范围 •2A连续输出电流 •500KHz开关频率 •短保护打嗝模式 .... 微雨问海棠 发表于 06-23 10:48 • 110次
RY8120 18V 2A 500KHz同步降压调节器概述 特性 •宽4V至18V工作输入范围 •2A连续输出电流 •500KHz开关频率 •短保护打嗝模式 •.... 微雨问海棠 发表于 06-23 10:42 • 149次
STC单片机IO端口定义 我们给单片机编程时，如果给端口引脚定义的时候。一个LED灯接到P26口，我们需要将其设为推挽输出，其.... 发表于 06-22 15:17 •
在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或.... 要长高 发表于 06-22 14:28 • 665次
ACM3220具有全差分输入功能，以减少音频源和耳机放大器 之间的系统噪声拾取。高电源噪声抑制性能和.... WE7869 发表于 06-22 11:20 •
RY1313C IC用于由锂离子电池或DC 5V适配器供电的应用 RY1313C 3通道5.5V 2A 1.5MHz DC/DC下电PMU 功能 •2.7V ~ 5..... 微雨问海棠 发表于 06-22 09:55 •
特性 •充电器反向连接保护 •蓄电池反接保护 •过热保护 •过充电流保护 •两步过流检测: 在放电电.... 微雨问海棠 发表于 06-22 09:44 •
RY9121E内部电源开关模式变换器场效应管解决方案 RY9121E 17V 2A 1.2MHz ECOT PWM同步降压调节器 特性 宽4.5V至17V.... 微雨问海棠 发表于 06-22 09:36 •
RY9122是高频率、内部电源开关模式变换器场效应管 RY9122 17V 2A 600KHz ECOT同步降压调节器 特性 宽4.5V至17V工作输入范.... 微雨问海棠 发表于 06-22 09:03 •
单片机汇编语言和c语言的区别是什么 单片机从诞生到现在，经过了将近70年的发展。众所周知，单片机是可以通过编写程序实现产品的功能，这么多.... 发表于 06-21 16:59 •
多功能挂脖风扇芯片—DLT8P65SA 审核编辑：符乾江 发表于 06-21 16:08 •
概述 VK36N4D具有3个触摸按键，可用来检测外部触摸按键上人手的触摸动作。该芯片具有较高的集成度.... 2671198128 发表于 06-21 16:08 • 246次
本设计相位累加器设定为32位，正弦表数据为8位，因此在ROM查找表里的容量为232×8=34，359.... 要长高 发表于 06-21 10:54 • 2569次
SMV512K32-SP 16MB 防辐射 SRAM SMV512K32是一款高性能异步CMOS SRAM，由32位524,288个字组成。可在两种模式：主控或受控间进行引脚选择。主设件为用户提供了定义的自主EDAC擦除选项。从器件选择采用按要求擦除特性，此特性可由一个主器件启动。根据用户需要，可提供3个读周期和4个写周期（描述如下）。 特性 20ns读取，13.8ns写入（最大存取时间） 与商用 512K x 32 SRAM器件功能兼容 内置EDAC（错误侦测和校正）以减轻软错误 用于自主校正的内置引擎 CMOS兼容输入和输出电平，3态双向数据总线 3.3±0.3VI /O，1.8±0.15V内核 辐射性能放射耐受性是一个基于最初器件标准的典型值。辐射数据和批量验收测试可用 - 细节请与厂家联系。 设计使用基底工程和抗辐射（HBD）与硅空间技术公司（SST）许可协议下的 TM 技术和存储器设计。 TID抗扰度＆gt; 3e5rad（Si） SER＆lt; 5e-17翻转/位 - 天使用（CRPLE96来计算用于与地同步轨道，太阳安静期的SER。 LET = 110 MeV （T = 398K） 采用76引线陶瓷方形扁平封装 可提供工程评估（/EM）样品这些部件只用于工程评估。它们的加工工艺为非兼容流程（例如，无预烧过程等），... 发表于 01-08 17:47 • 465次
SN74HCT273A 具有清零功能的八路 D 类触发器 与其它产品相比 D 类触发器   Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Rating Operating temperature range (C)   SN74HCT273A HCT     2     6     Catalog     -40 to 85     发表于 01-08 17:46 • 413次
SN74HC273A 具有清零功能的八路 D 类触发器 与其它产品相比 D 类触发器   Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Bits (#) Rating Operating temperature range (C)   SN74HC273A HC     2     6     8     Catalog     -40 to 85     发表于 01-08 17:46 • 504次
SN74ABT16373A 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器 ABT16373A是16位透明D型锁存器，具有3态输出，专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器，I /O端口，双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位锁存器或一个16位锁存器。当锁存使能（LE）输入为高电平时，Q输出跟随数据（D）输入。当LE变为低电平时，Q输出锁存在D输入端设置的电平。 缓冲输出使能（OE \）输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态（高或低逻辑电平）或高阻态。在高阻抗状态下，输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力，而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时，可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和2.1 V之间时，器件在上电或断电期间处于高阻态。但是，为了确保2.1 V以上的高阻态，OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 SN54ABT16373A的特点是可在-55 C至125 C的整个军用温度范围内工作。 SN74ABT16373A的特点是在-40 C至85 C的温度范围内工作。
SN74ALVCH16820 具有双路输出和三态输出的 3.3V 10 位触发器 这个10位触发器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16820的触发器是边沿触发的D型触发器。在时钟（CLK）输入的正跳变时，器件在Q输出端提供真实数据。
缓冲输出使能（OE）输入可用于将10个输出放入正常逻辑状态（高或低逻辑电平）或高阻态。在高阻抗状态下，输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力，而无需接口或上拉组件。 OE \输入不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时，可以保留旧数据或输入新数据。 为确保上电或断电期间的高阻态，OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路，用于将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑电平。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。
SN74ABT16374A 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器 ABT16374A是16位边沿触发D型触发器，具有3态输出，专为驱动高电容或相对低阻抗而设计负载。它们特别适用于实现缓冲寄存器，I /O端口，双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟（CLK）输入的正跳变时，触发器的Q输出采用在数据（D）输入处设置的逻辑电平。 缓冲输出使能（OE \）输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态（高或低逻辑电平）或高阻态。在高阻抗状态下，输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力，而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时，可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和2.1 V之间时，器件在上电或断电期间处于高阻态。但是，为了确保2.1 V以上的高阻态，OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 SN54ABT16374A的特点是可在-55 C至125 C的整个军用温度范围内工作。 SN74ABT16374A的特点是在-40 C至85 C的温度范围内工作。
SN74AHCT16374 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器 AHCT16374器件是16位边沿触发D型触发器，具有3态输出，专为驱动高电容或相对较低的电容而设计阻抗负载。它们特别适用于实现缓冲寄存器，I /O端口，双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟（CLK）输入的正跳变时，触发器的Q输出取数据（D）输入的逻辑电平。 缓冲输出使能（OE \）输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态（高或低逻辑电平）或高阻态。在高阻抗状态下，输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力，而无需接口或上拉组件。 为了确保上电或断电期间的高阻态，OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时，可以保留旧数据或输入新数据。 SN54AHCT16374的特点是可在-55 C至125 C的整个军用温度范围内工作。 SN74AHCT16374的工作温度范围为-40 C至85 C。
CY74FCT162374T 具有三态输出的 16 位边沿触发 D 类触发器 CY74FCT16374T和CY74FCT162374T是16位D型寄存器，设计用作高速，低功耗总线应用中的缓冲寄存器。通过连接输出使能（OE）和时钟（CLK）输入，这些器件可用作两个独立的8位寄存器或单个16位寄存器。流通式引脚排列和小型收缩包装有助于简化电路板布局。 使用Ioff为部分断电应用完全指定此设备。 Ioff电路禁用输出，防止在断电时损坏通过器件的电流回流。 CY74FCT16374T非常适合驱动高电容负载和低阻抗背板。 CY74FCT162374T具有24 mA平衡输出驱动器，输出端带有限流电阻。这减少了对外部终端电阻的需求，并提供最小的下冲和减少的接地反弹。 CY74FCT162374T非常适合驱动传输线。
SN74ALVCH16260 具有三态输出的 12 位至 24 位多路复用 D 类锁存器 这个12位至24位多路复用D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16260用于必须将两个独立数据路径复用到单个数据路径或从单个数据路径解复用的应用中。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。该器件在存储器交错应用中也很有用。 三个12位I /O端口（A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12）可用于地址和/或数据传输。输出使能（OE1B \，OE2B \和OEA \）输入控制总线收发器功能。 OE1B \和OE2B \控制信号还允许在A到B方向上进行存储体控制。 可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能（LE1B，LE2B，LEA1B和LEA2B）输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时，锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时，输入端的数据被锁存并保持锁存，直到锁存使能输入返回高电平为止。 确保上电或断电期间的高阻态，OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路，用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 SN74ALVCH16260的工... 发表于 10-11 11:08 • 116次
SN74ALVCH16374 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器 这个16位边沿触发D型触发器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16374特别适用于实现缓冲寄存器，I /O端口，双向总线驱动器和工作寄存器。它可以用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟（CLK）输入的正跳变时，触发器的Q输出取数据（D）输入的逻辑电平。 OE \可用于将8个输出置于正常逻辑状态（高或低逻辑电平）或高阻态。在高阻抗状态下，输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力，而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时，可以保留旧数据或输入新数据。 为确保上电或断电期间的高阻态，OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 有源总线保持电路将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑状态。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。
SN74ALVCH16373 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器 这个16位透明D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16373特别适用于实现缓冲寄存器，I /O端口，双向总线驱动器和工作寄存器。该器件可用作两个8位锁存器或一个16位锁存器。当锁存使能（LE）输入为高电平时，Q输出跟随数据（D）输入。当LE变为低电平时，Q输出锁存在D输入设置的电平。 缓冲输出使能（OE）输入可用于将8个输出置于正常状态逻辑状态（高或低逻辑电平）或高阻态。在高阻抗状态下，输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力，而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时，可以保留旧数据或输入新数据。 为确保上电或断电期间的高阻态，OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 有源总线保持电路将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑状态。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。
支持混合模式信号操作（具有3.3VVCC的5V输入和输出电压） 数据输入端的总线保持消除了对外部上拉或下拉电阻的需求 每个JESD的闩锁性能超过250 mA 17 ESD保护超过JESD 22 2000-V人体模型（A114-A） 200-V机型（A115-A）
SN74ABTH16260 具有三态输出的 12 位至 24 位多路复用 D 类锁存器 SN54ABT16260和SN74ABTH16260是12位至24位多路复用D型锁存器，用于必须复用两条独立数据路径的应用中，或者从单个数据路径中解复用。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。该器件在存储器交错应用中也很有用。 三个12位I /O端口（A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12）可用于地址和/或数据传输。输出使能（OE1B \，OE2B \和OEA \）输入控制总线收发器功能。 OE1B \和OE2B \控制信号还允许A-to-B方向的存储体控制。 可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能（LE1B，LE2B，LEA1B和LEA2B）输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时，锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时，输入端的数据被锁存并保持锁存状态，直到锁存使能输入返回高电平为止。 当VCC介于0和2.1 V之间时，器件在上电或断电期间处于高阻态。但是，为了确保2.1 V以上的高阻态，OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路，用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 发表于 10-11 10:51 • 156次
SN74ABT162823A 具有三态输出的 18 位总线接口触发器 这些18位总线接口触发器具有3态输出，专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现更宽的缓冲寄存器，I /O端口，带奇偶校验的双向总线驱动器和工作寄存器。 ?? ABT162823A器件可用作两个9位触发器或一个18位触发器。当时钟使能（CLKEN）\输入为低电平时，D型触发器在时钟的低到高转换时输入数据。将CLKEN \置为高电平会禁用时钟缓冲器，从而锁存输出。将清零（CLR）\输入设为低电平会使Q输出变为低电平而与时钟无关。 缓冲输出使能（OE）\输入将9个输出置于正常逻辑状态（高电平）或低电平）或高阻抗状态。在高阻抗状态下，输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动器提供了驱动总线线路的能力，无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时，可以保留旧数据或输入新数据。 输出设计为源电流或吸收电流高达12 mA，包括等效的25- 串联电阻，用于减少过冲和下冲。 这些器件完全符合热插拔规定使用Ioff和上电3状态的应用程序。 Ioff电路禁用输出，防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间，上电三态电路将输出置... 发表于 10-11 10:48 • 119次
SN74ABTH162260 具有串联阻尼电阻和三态输出的 12 位到 24 位多路复用 D 类锁存器 ABTH162260是12位至24位多路复用D型锁存器，用于两个独立数据路径必须复用或复用的应用中。 ，单一数据路径。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。这些器件在存储器交错应用中也很有用。 三个12位I /O端口（A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12）可用于地址和/或数据传输。输出使能（OE1B \，OE2B \和OEA \）输入控制总线收发器功能。 OE1B \和OE2B \控制信号还允许A-to-B方向的存储体控制。 可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能（LE1B，LE2B，LEA1B和LEA2B）输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时，锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时，输入端的数据被锁存并保持锁存状态，直到锁存使能输入返回高电平为止。 B端口输出设计为吸收高达12 mA的电流，包括等效的25系列电阻，以减少过冲和下冲。 提供有源总线保持电路，用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 当VCC介于0和2.1 V之间时，器件在上电或断电期间处于高阻态。但是，为了确保2.1 V以上的高阻态，OE \应通过... 发表于 10-11 10:45 • 199次
SN74ABT162841 具有三态输出的 20 位总线接口 D 类锁存器 这些20位透明D型锁存器具有同相三态输出，专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器，I /O端口，双向总线驱动器和工作寄存器。 ?? ABT162841器件可用作两个10位锁存器或一个20位锁存器。锁存使能（1LE或2LE）输入为高电平时，相应的10位锁存器的Q输出跟随数据（D）输入。当LE变为低电平时，Q输出锁存在D输入设置的电平。 缓冲输出使能（10E或2OE）输入可用于放置输出。相应的10位锁存器处于正常逻辑状态（高或低逻辑电平）或高阻态。在高阻抗状态下，输出既不会加载也不会显着驱动总线。 输出设计为吸收高达12 mA的电流，包括等效的25- 用于减少过冲和下冲的串联电阻。 这些器件完全适用于使用I的热插入应用关闭并启动3状态。 Ioff电路禁用输出，防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间，上电三态电路将输出置于高阻态，从而防止驱动器冲突。 为确保上电或断电期间的高阻态， OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 OE \不影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时，可以保留旧数据... 发表于 10-11 10:43 • 278次
SN74ALVTH16821 具有三态输出的 2.5V/3.3V 20 位总线接口触发器 ALVTH16821器件是20位总线接口触发器，具有3态输出，设计用于2.5 V或3.3 VVCC操作，但能够为5 V系统环境提供TTL接口。 这些器件可用作两个10位触发器或一个20位触发器。 20位触发器是边沿触发的D型触发器。在时钟（CLK）的正跳变时，触发器存储在D输入端设置的逻辑电平。 缓冲输出使能（OE \）输入可用于将10个输出置于正常逻辑状态（高电平或低电平）或高阻态。在高阻抗状态下，输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力，而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时，可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和1.2 V之间时，器件在上电或断电期间处于高阻态。但是，为了确保1.2 V以上的高阻态，OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路，用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 SN54ALVTH16821的特点是可在-55 C至125 C的整个军用温度范围内工作。 SN74ALVTH16821的工作温度范围为-40&de... 发表于 10-11 10:35 •
SN74ALVTH16374 具有三态输出的 2.5V/3.3V 16 位边沿 D 类触发器 ALVTH16374器件是16位边沿触发D型触发器，具有3态输出，设计用于2.5V或3.3VV CC 操作，但能够为5 V系统环境提供TTL接口。这些器件特别适用于实现缓冲寄存器，I /O端口，双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位触发器或一个16位翻转器。翻牌。在时钟（CLK）的正跳变时，触发器存储在数据（D）输入处设置的逻辑电平。 缓冲输出使能（OE）输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态（高或低逻辑电平）或高阻态。在高阻抗状态下，输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力，而无需接口或上拉组件。 OE不影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时，可以保留旧数据或输入新数据。 提供有源总线保持电路，用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 /p> 当VCC介于0和1.2 V之间时，器件在上电或断电期间处于高阻态。但是，为了确保1.2 V以上的高阻态，OE应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 SN54ALVTH16374的特点是在-55 C至125 C的整个军用温度... 发表于 10-11 10:31 • 117次
SN74ABTH16823 具有三态输出的 18 位总线接口触发器 这些18位触发器具有3态输出，专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现更宽的缓冲寄存器，I /O端口，带奇偶校验的双向总线驱动器和工作寄存器。 ABTH16823可用作两个9位触发器或一个18位触发器。当时钟使能（CLKEN \）输入为低电平时，D型触发器在时钟的低到高转换时输入数据。将CLKEN \置为高电平会禁用时钟缓冲器，锁存输出。将清零（CLR \）输入置为低电平会使Q输出变为低电平，与时钟无关。 缓冲输出使能（OE \）输入可用于将9个输出置于正常逻辑状态（高或低逻辑电平）或高阻态。在高阻抗状态下，输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力，而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时，可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和2.1 V之间时，器件在上电或断电期间处于高阻态。但是，为了确保2.1 V以上的高阻态，OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路，用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 发表于 10-10 17:15 • 227次
SN74AHCT16373 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器 SNxAHCT16373器件是16位透明D型锁存器，具有3态输出，专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器，I /O端口，双向总线驱动器和工作寄存器。
ESD保护每个MIL-STD超过2000 V- 883， 方法3015;使用机器型号超过200 V（C = 200 pF，R = 0） 封装选项包括：