我一直有一个感觉:咱们硬件工程师,会遇到各种各样的问题,亦或是各种各样的现象,总会有一个非常简单的解释,一句话或者是几句话,我们见多了这个解释,就自以为明白了,当别人再问起我们的时候,我们也会拿这句话去给别人解释。
比如说,寄生电感这个字眼就经常出现,特别是引线电感。我们解释一些问题的时候都是直接套用的,默认它的存在。可实际上是,我在很长一段时间内并不理解它到底是怎么来的,因为我印象中电感都是线圈,而直导线并不是。直到之前不久我才思索了一番,算是有一些了解,也写了下面一篇文章。 寄生电感怎么来的 最近一直在看电感和磁珠的内容,也有看LC滤波器,自然会有LC谐振的问题。LC串联谐振,单独拿出来说的话,可能会觉得太简单了,这有啥好说的。自然是因为实际应用中会出现各种各样的场景,尽管都是谐振,但是表现各不相同。 先来思考下这么几个问题: 电路中不必要的LC串联谐振要绝对杜绝吗? MOS管G极经常串联一个小电阻,说是可以抑制振荡,啥原理呢?这个电阻阻值怎么取呢? 电源上面加上磁珠,结果纹波变大了,只能换0Ω电阻来解决吗?有没有其它的解决方法? 这几个问题,如果你明白了LC串联谐振的分析方法,那么自然都不在话下了。 LC串联谐振电路 尽管LC串联谐振电路非常简单,我们还是来看下,这样一步一步深入会更好的理解。 一个电感和一个电容串联,在某个特定的频率,就会发生谐振,这个频率就是谐振频率。串联谐振电路有如下特点: 谐振时整个电路阻抗呈电阻性,阻抗最小,电流达到最大; 谐振时电感和电容两端的电压达到最大。 上面这些理论都是非常基础的,就不赘述。实际电路的场景要远比这个要复杂,搞清楚那些才是我们的目的。那么我们下面就来结合具体的场景。 LC滤波器 LC滤波器经常用,但有一个比较坑的问题就是,有时候使用LC滤波器之后,效果反而更差了,还不如不用。 原因我们当然可以说是在噪声在此处谐振啦,噪声被放大了之类的。曾经的我也会这么说原因,不过并不是真的明白,对于这种会起反效果的东西,我会惧怕,会担心它出问题。这种惧怕,来源于对未知的恐惧,因为没有懂。现在下面来具体分析下 首先,我们需要明白,噪声是如何被放大的?也就是说输出比输入幅度要大? 先来看最简单的模型,也就是理想器件模型的情况。 我们列出输出与输入的比值,也就是增益,如果增益大于1,那么说明被放大了。很容易列出增益的公式,我们画下这个曲线。 上图的曲线,是1uH电感,1uF电容的增益。可以看到,在低频时,增益基本就是1,也就是不放大不衰减。而在谐振频率处,有一个非常高的尖峰,因为这里设定的器件为理想器件,所理论上尖峰为穷大,谐振频率旁边的增益也是非常高的,而在频率比较高的时候,随着频率的升高,增益下降,也就是衰减了输入信号。 如果我们能把谐振频率处的增益降到0.707左右,那就是完美的低通滤波器了。很显然,电感和电容都是非耗能器件,没有电阻器件的引入,在谐振频率处,增益总是等于无穷大的。我们从增益Av的公式就可以得出来,因为谐振频率时的分母为0。 幸运的是,我们的滤波电路总是要接负载的,我们把信号滤波之后总是要给负载用的,接入了负载,那增益又不一样了。 不同负载的LC滤波器 现实中的电路各种各样,负载的阻抗也就差别很大了,下面是加入负载的模型。 我们看看负载是1Ω,10Ω,100Ω的增益曲线,如下图: 我们可以看到,负载电阻越小,谐振处的增益越小,谐振引起的噪声变大越不会发生。当然了,实际电路中的负载各种各样,有低阻的,有高阻的。相对来说,低阻负载的更不容易发生加入滤波器效果更差的事情。因此,如果你发现同样的LC滤波器,加入不同的电路,有的效果好,有的效果变差,很有可能就是因为负载的不同。 所以说,负载阻抗越低,越不容易产生尖峰,也就是说不容易恶化。 噪声源内阻的影响 除了负载阻抗的影响,还有噪声源内阻的影响,实际的噪声信号肯定是有一定的内阻的。根据内阻的不同,我们构建下面的模型,加入内阻的参量。 分别画出Rs=0.1Ω,Rs=1Ω,Rs=10Ω的情况,为了排除负载电阻的影响,宁其为高阻态,统一RL=1MΩ。 可以看到,内阻越大,越不容易产生尖峰,也就是说不容易恶化,反之,内阻越小,越容易恶化。 L、C的值的影响 除了内阻和负载大小,电感和电容值的大小有没有影响呢? 电容变化:电容分别为1uF,10uF,100uF,内阻,负载,电感都为Rs=0.1,RL=1MΩ,L=1uH。 可以看到,电容增大,尖峰变小,也就是说,在遇到谐振引起噪声增大的情况,可以尝试增大电容是可以降低噪声。不过需要注意,尖峰变小,只是说最高点变小了,但是引起了谐振频率降低,新的谐振点可能还是要比原来的增益更高,也就是说如果噪声正好是这个频率段,那么改变之后效果变更差了。当然了,如果我们加更大的电容,即使是谐振点都没有放大作用,比如如果电容加到100uF,整个频段基本都没有放大作用了。 实际电路具体加到多大的电容,完全不会出现尖峰呢?这个跟信号源内阻Rs,负载阻抗RL,电感值L都有关系。实际上,如果内阻Rs从0.1提升到1,电容不用增大到100uF,即使是原来的1uf也不会有尖峰,曲线就不画了。 电感变化:电感分别为0.01uH,0.1uH,1uH,内阻,负载,电容都为Rs=0.1,RL=1MΩ,C=1uF 可以看到,减小电感,可以降低尖峰的高度。我们如果继续减小电感到0.01uH,尖峰也会消失。同样的,电感变化会造成谐振频率移动,具体是使噪声变大还是变小也是要依情况而定,与内阻,负载,电容都有关系。 总的来说,大部分电路增大电容,或者减小电感,都可以降低尖峰。如果LC滤波器用于电源滤波发生噪声变大,可以增大电容,或者减少电感。 这里之所以说大部分电路,是因为如果满足一定的Rs,RL的条件,可能结果是相反的,这个可以自己修改Matlab代码(后文分享出来)里面的参量,执行下就知道了。 MOS管G极串联电阻如何抑制谐振 有了以上的基础,我们来看实际的问题:MOS管G极串联电阻如何抑制谐振? 这个问题,我们首先要明白,问题是如何产生的,即为什么会振荡?其实通过前面的铺垫,也就很明白了。 这个是典型的MOS管驱动电路,串联了10Ω电阻。 尽管从电路图上看去,上面既没有电感,也没有电容。但实际上是,我们PCB总要将线从驱动芯片拉到MOS管,我查了一下,线宽12mil,长度10mm的走线寄生电感是9.17nH。实际电路中10mm走线太正常了,所以寄生电感肯定是存在的。 电感有了,电容呢?功率MOS管都有输入电容存在,并且还不小,小的几百pF,大点的几nF。我们只是为了说明道理,那取电容1nF吧。 一般来说,左边驱动管子发出开关信号,它的内阻一般不会很低,尽管现在不知道它到底是多大,那就按照比较恶劣的情况来看,就让Rs=0.1Ω。 那么负载电阻是多大呢?负载是MOS管,那阻抗就很大了,就取RL=1MΩ。 看看现在的等效电路: 从前面内容知道,源内阻越小,负载阻抗越大,就越容易产生谐振尖峰。我们画出此时曲线。 可以看到,谐振频率52Mhz处增益达到了好几十倍。而MOS管驱动信号可以看作是一个阶跃信号,频率分量非常丰富,肯定有52Mhz附近的频率。 所以说确实会发生谐振。 现在分别串联1Ω,10Ω,100Ω电阻,这个电阻可以等效到内阻里面去,相当于等效电路变成了Rs=1.1Ω,Rs=10.1Ω,Rs=100.1Ω,其它参数不变。我们再看看曲线。 可以看到,串联1Ω电阻,还是放大,最大到3倍,说明电阻稍小。而10Ω电阻就能完全消除振荡了。100Ω电阻也能完全消除振荡,但是其截止频率更低,会造成驱动信号的高频分量丢失,最终上升沿变缓,也就是MOS管开启的时间变长。 相信到这里,对于这个串联电阻的作用,已经怎么取值应该就比较清楚了。G极走线越长,寄生电感越大,越容易引起问题,电阻就要选得更大些。 从文章开头,一路看下来,这也太费劲了,确实,明白这些也不是很容易,很多时候,我们都是拿着厂家的原理图来抄抄,也不会有问题。等到有新人问到“这个电阻干什么用的?”老员工答曰“抑制振荡”,是啊,这四个字,每个字都认识,是不是总有一种模模糊糊的感觉呢?希望看完此文之后不再模糊。 Matlab源码 上面所有的曲线图,Matlab源码都在这个里面了,我已经把每个图对应的代码分开来了,有7部分,全部复制过去可以一次执行得到7个图。也可以把其中的一个复制出去执行,都是可以的。代码里面的注释写得也比较清楚,可以自行去修改Rs,RL,L,C的值 %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% %---理想LC低通滤波器增益 %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% f=[1000:100:100000000]; %频率:范围1Khz-10Mhz w=(f.*pi*2); %角频率 C=0.000001; %1uF 电容量 L=0.000001; %1uH 电感量 Zc=1./(w.*C.*j); %电容总阻抗 Zl=w.*L.*j; %电感总阻抗 Av= abs(Zc./(Zc+Zl)); %增益 figure; %画图 loglog(f,Av); %画出增益曲线 grid on; %显示网格 set(gca,‘YLim’,[0.001 1000]);%y轴的数据显示范围 set(gca, ‘XTickLabel’ ,{‘1K’,‘10K’,‘100K’,‘1M’,‘10M’,‘100M’}); %x轴频率数据 set(gca, ‘YTickLabel’ ,{‘0.001’,‘0.01’,‘0.1’,‘1’,‘10’,‘100’,‘1000’}); %y轴幅度数据 xlabel(‘频率’), ylabel(‘增益’); %x,y轴名称 title([‘LC低通滤波器增益(L=’,num2str(L*1000000),‘uH,C=’,num2str(C*1000000),‘uF)’]);%标题 %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% %---不同负载 %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% f=[1000:100:100000000]; %频率:范围1Khz-10Mhz w=(f.*pi*2); %角频率 C=0.000001; %1uF 电容量 L=0.000001; %1uH 电感量 RL1=1; %负载RL1=1 RL2=10; %负载RL2=10 RL3=100; %负载RL2=100 Zc=1./(w.*C.*j); %电容总阻抗 Zl=w.*L.*j; %电感总阻抗 Av1=abs(((Zc.*RL1)。/(Zc+RL1))。/(((Zc.*RL1)。/(Zc+RL1))+Zl)); %负载1对应增益 Av2=abs(((Zc.*RL2)。/(Zc+RL2))。/(((Zc.*RL2)。/(Zc+RL2))+Zl)); %负载2对应增益 Av3=abs(((Zc.*RL3)。/(Zc+RL3))。/(((Zc.*RL3)。/(Zc+RL3))+Zl)); %负载3对应增益 figure; %画图 loglog(f,Av1,f,Av2,f,Av3); %画出3种负载的增益 grid on; %显示网格 legend([‘RL=’,num2str(RL1)],[‘RL=’,num2str(RL2)],[‘RL=’,num2str(RL3)]);%曲线说明 set(gca,‘YLim’,[0.001 1000]);%y轴的数据显示范围 set(gca, ‘XTickLabel’ ,{‘1K’,‘10K’,‘100K’,‘1M’,‘10M’,‘100M’}); %x轴频率数据 set(gca, ‘YTickLabel’ ,{‘0.001’,‘0.01’,‘0.1’,‘1’,‘10’,‘100’,‘1000’}); %y轴幅度数据 xlabel(‘频率’), ylabel(‘增益’); %x,y轴名称 title([‘不同负载的增益(L=’,num2str(L*1000000),‘uH,C=’,num2str(C*1000000),‘uF)’]);%标题 %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% %---不同噪声源内阻 %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% f=[1000:100:100000000]; %频率:范围1Khz-10Mhz w=(f.*pi*2); %角频率 C=0.000001; %1uF 电容量 L=0.000001; %1uH 电感量 RS1=0.1; %内阻RS1=0.1 RS2=1; %内阻RS2=1 RS3=10; %内阻RS2=10 RL=1000000;%负载RL=1 MZc=1./(w.*C.*j); %电容总阻抗 Zl=w.*L.*j; %电感总阻抗 Av1=abs(((Zc.*RL)。/(Zc+RL))。/(((Zc.*RL)。/(Zc+RL))+Zl+RS1)); %内阻1对应增益 Av2=abs(((Zc.*RL)。/(Zc+RL))。/(((Zc.*RL)。/(Zc+RL))+Zl+RS2)); %内阻2对应增益 Av3=abs(((Zc.*RL)。/(Zc+RL))。/(((Zc.*RL)。/(Zc+RL))+Zl+RS3)); %内阻3对应增益 figure; %画图 loglog(f,Av1,f,Av2,f,Av3); %画出3种内阻的增益 grid on; %显示网格 legend([‘Rs=’,num2str(RS1)],[‘Rs=’,num2str(RS2)],[‘Rs=’,num2str(RS3)]);%曲线说明 set(gca,‘YLim’,[0.001 1000]);%y轴的数据显示范围 set(gca, ‘XTickLabel’ ,{‘1K’,‘10K’,‘100K’,‘1M’,‘10M’,‘100M’}); %x轴频率数据 set(gca, ‘YTickLabel’ ,{‘0.001’,‘0.01’,‘0.1’,‘1’,‘10’,‘100’,‘1000’}); %y轴幅度数据xlabel(‘频率’), ylabel(‘增益’); %x,y轴名称 title([‘不同噪声源内阻的增益(L=’,num2str(L*1000000),‘uH,C=’,num2str(C*1000000),‘uF)’]);%标题 %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% %---不同的电容C的值 %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% f=[1000:100:100000000]; %频率:范围1Khz-10Mhz w=(f.*pi*2); %角频率 C1=0.000001; %1uF 电容量1 C2=0.00001; %10uF 电容量2 C3=0.0001; %100uF 电容量3 L=0.000001; %1uH 电感量RS=0.1; %内阻RS1=0.1 RL=1000000;%负载RL=1M Zc1=1./(w.*C1.*j); %电容C1总阻抗 Zc2=1./(w.*C2.*j); %电容C2总阻抗 Zc3=1./(w.*C3.*j); %电容C3总阻抗 Zl=w.*L.*j; %电感总阻抗 Av1= abs(((Zc1.*RL)。/(Zc1+RL))。/(((Zc1.*RL)。/(Zc1+RL))+Zl+RS));%电容1对应增益 Av2= abs(((Zc2.*RL)。/(Zc2+RL))。/(((Zc2.*RL)。/(Zc2+RL))+Zl+RS));%电容2对应增益 Av3= abs(((Zc3.*RL)。/(Zc3+RL))。/(((Zc3.*RL)。/(Zc3+RL))+Zl+RS));%电容2对应增益 figure; %画图 loglog(f,Av1,f,Av2,f,Av3); %画出3种电容的增益 grid on; %显示网格 legend([‘C=’,num2str(C1*1000000),‘uF’],[‘C=’,num2str(C2*1000000),‘uF’],[‘C=’,num2str(C3*1000000),‘uF’]);%曲线说明 set(gca,‘YLim’,[0.001 1000]);%y轴的数据显示范围set(gca, ‘XTickLabel’ ,{‘1K’,‘10K’,‘100K’,‘1M’,‘10M’,‘100M’}); %x轴频率数据 set(gca, ‘YTickLabel’ ,{‘0.001’,‘0.01’,‘0.1’,‘1’,‘10’,‘100’,‘1000’}); %y轴幅度数据xlabel(‘频率’), ylabel(‘增益’); %x,y轴名称 title([‘不同电容C的增益’]);%标题 %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% %---不同的电感L的值 %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% f=[1000:100:100000000]; %频率:范围1Khz-10Mhz w=(f.*pi*2); %角频率 C=0.000001; %1uF 电容量 L1=0.000001; %1uH 电感量 L2=0.0000001; %0.1uH 电感量 L3=0.00000001; %0.01uH 电感量 RS=0.1; %内阻RS1=0.1 RL=1000000;%负载RL=1M Zc=1./(w.*C.*j); %电容C总阻抗 Zl1=w.*L1.*j; %电感L1总阻抗 Zl2=w.*L2.*j; %电感L2总阻抗 Zl3=w.*L3.*j; %电感L3总阻抗 Av1= abs(((Zc.*RL)。/(Zc+RL))。/(((Zc.*RL)。/(Zc+RL))+Zl1+RS));%电感1对应增益 Av2= abs(((Zc.*RL)。/(Zc+RL))。/(((Zc.*RL)。/(Zc+RL))+Zl2+RS));%电感2对应增益 Av3= abs(((Zc.*RL)。/(Zc+RL))。/(((Zc.*RL)。/(Zc+RL))+Zl3+RS));%电感3对应增益 figure; %画图 loglog(f,Av1,f,Av2,f,Av3); %画出3种电感的增益 grid on; %显示网格 legend([‘L=’,num2str(L1*1000000),‘uH’],[‘L=’,num2str(L2*1000000),‘uH’],[‘L=’,num2str(L3*1000000),‘uH’]);%曲线说明 set(gca,‘YLim’,[0.001 1000]);%y轴的数据显示范围 set(gca, ‘XTickLabel’ ,{‘1K’,‘10K’,‘100K’,‘1M’,‘10M’,‘100M’}); %x轴频率数据 set(gca, ‘YTickLabel’ ,{‘0.001’,‘0.01’,‘0.1’,‘1’,‘10’,‘100’,‘1000’}); %x轴幅度数据 xlabel(‘频率’), ylabel(‘增益’); %x,y轴名称 title([‘不同电感L的增益’]);%标题 %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% %---MOS不串电阻 %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% f=[1000:100:100000000]; %频率:范围1Khz-10Mhz w=(f.*pi*2); %角频率 C=0.000000001; %1nF 电容量 L=0.00000000917; %1uH 电感量 RS=0.1; %内阻RS1=0.1 RL=1000000;%负载RL=1M Zc=1./(w.*C.*j); %电容总阻抗 Zl=w.*L.*j; %电感总阻抗 Av=abs(((Zc.*RL)。/(Zc+RL))。/(((Zc.*RL)。/(Zc+RL))+Zl+RS)); %MOS管不串增益 figure; %画图 loglog(f,Av); %画出增益曲线 grid on; %显示网格 set(gca,‘YLim’,[0.001 1000]);%y轴的数据显示范围 set(gca, ‘XTickLabel’ ,{‘1K’,‘10K’,‘100K’,‘1M’,‘10M’,‘100M’}); %x轴频率数据 set(gca, ‘YTickLabel’ ,{‘0.001’,‘0.01’,‘0.1’,‘1’,‘10’,‘100’,‘1000’}); %x轴幅度数据 xlabel(‘频率’), ylabel(‘增益’); %x,y轴名称 title([‘MOS管不串电阻的增益(L=’,num2str(L*1000000000),‘nH,C=’,num2str(C*1000000000),‘nF)’]);%标题 %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% %---MOS串电阻 %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% f=[1000:100:100000000]; %频率:范围1Khz-10Mhz w=(f.*pi*2); %角频率 C=0.000000001; %1nF 电容量 L=0.00000000917; %1uH 电感量 RS1=0.1; %内阻RS1=0.1 RS2=1.1; %内阻RS1=1.1 RS3=10.1; %内阻RS1=10.1 RS4=100.1; %内阻RS1=100.1 RL=1000000;%负载RL=1M Zc=1./(w.*C.*j); %电容总阻抗 Zl=w.*L.*j; %电感总阻抗 Av1=abs(((Zc.*RL)。/(Zc+RL))。/(((Zc.*RL)。/(Zc+RL))+Zl+RS1)); %MOS管不串增益 Av2=abs(((Zc.*RL)。/(Zc+RL))。/(((Zc.*RL)。/(Zc+RL))+Zl+RS2)); %MOS管串1Ω电阻增益 Av3=abs(((Zc.*RL)。/(Zc+RL))。/(((Zc.*RL)。/(Zc+RL))+Zl+RS3)); %MOS管串1Ω电阻增益 Av4=abs(((Zc.*RL)。/(Zc+RL))。/(((Zc.*RL)。/(Zc+RL))+Zl+RS4)); %MOS管串1Ω电阻增益 figure; %画图 loglog(f,Av1,f,Av2,f,Av3,f,Av4); %画出增益曲线 grid on; %显示网格 legend([‘不串电阻’],[‘串1Ω电阻’],[‘串10Ω电阻’],[‘串100Ω电阻’]);%曲线说明 set(gca,‘YLim’,[0.001 1000]);%y轴的数据显示范围 set(gca, ‘XTickLabel’ ,{‘1K’,‘10K’,‘100K’,‘1M’,‘10M’,‘100M’}); %x轴频率数据 set(gca, ‘YTickLabel’ ,{‘0.001’,‘0.01’,‘0.1’,‘1’,‘10’,‘100’,‘1000’}); %x轴幅度数据 xlabel(‘频率’), ylabel(‘增益’); %x,y轴名称title([‘MOS管串电阻的增益(L=’,num2str(L*1000000000),‘nH,C=’,num2str(C*1000000000),‘nF)’]);%标题 小结 LC串联电路非常简单,然而实际电路应用起来却不简单,从而会引起各种各样的现象,如果不深入分析的话,确实会有点无从下手。下面写几个小结论: 1、LC串联谐振的增益,与信源内阻,负载阻抗,电感,电容的大小都有很大的关系,四个变量造成的情景组合非常多,表现也就有很不一样。总的来说信源内阻越小,负载阻抗越大,电感越大,电容越小,越容易出现尖峰 2、LC滤波器恶化要满足几个条件:源内阻要小,负载阻抗要大,噪声频率正好处于谐振频率附近,电容容量太小,电感感量太大。 这些结论,个人认为真心不重要,重要的是分析方法。有了方法,各种结论不是随便就推出来了,还用别人告诉你吗?至于开篇提的几个问题,自然答案就出来了。 责任编辑:xj用于遥控车模的CMOS大规模集成遥控电路 该车采用台湾瑞昱公司生产的专用于遥控车模的CMOS大规模集成遥控电路 发表于 06-29 11:50 •
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LN1162 系列是使用 CMOS 技术开发的低压差、低噪声、高精度输出正电压型电压稳压器。由于内置.... 倚栏清风L 发表于 06-15 09:27 • 156次
LN1137 系列是使用 CMOS 技术开发的高速、低压差,高精度输出电压,低消耗电流正电压型电压稳.... 倚栏清风L 发表于 06-14 16:33 • 241次
LN1134 系列是使用 CMOS 技术开发的高速、低压差,高精度输出电压,低消耗电流正电压型电压稳.... 倚栏清风L 发表于 06-14 16:20 • 216次
LN1132 系列是使用 CMOS 技术开发的低压差,高精度输出电压,低消耗电流正电压型电压稳压器。.... 倚栏清风L 发表于 06-14 15:37 • 246次
LN6210 700mA低压差CMOS电压稳压器 LN6210 系列是使用 CMOS 技术开发的高速、低压差,高精度输出电压,低消耗电流正电压型电压稳.... 发表于 06-13 15:43 •
LN6215-C 1A低噪声CMOS电压稳压器 LN6215 系列是使用 CMOS 技术开发的高速、低压差,低噪声高精度输出电压,低消耗电流正电压型.... 发表于 06-13 15:42 •
电压稳压器LN1134中文资料手册 LN1134 系列是使用 CMOS 技术开发的高速、低压差,高精度输出电压,低消耗电流正电压型电压稳.... 发表于 06-13 15:02 •
电压稳压器LN6206中文资料手册 LN6206 系列是使用 CMOS 技术开发的低压差,高精度输出电压,低消耗电流正电压型电压稳压器。.... 发表于 06-13 14:50 •
DC/DC升压变换芯片TP83系列中文手册 TP83 系列芯片是采用 CMOS 工艺制造的静态电流极低的 VFM 开关型 DC/DC 升压转换器.... 发表于 06-13 14:35 •
视觉是众多飞外网居感知外界的重要工具,包括安防摄像头、智能扫地机器人、智能门锁等,通过视觉能够更直观.... Simon观察 发表于 06-13 08:00 • 1291次
WTN6 CMOS语音芯片在电子门铃的应用 根据语音芯片的输出方式分为两大类,一种是PWM输出方式,一种是DAC输出方式,PWM输出音量不可连续.... 发表于 06-12 11:50 •
leakage power是指什么 基于当下主流CMOS 的 IC 电路,PPA 中的之一power 的重要性是Icer的共识.Power = Leakage Power + Dynamic Pow... 发表于 06-09 17:57 • 969次
低功耗高输入电压 CMOS 电压稳压器方案 LN1173 系列是一款采用 CMOS 工艺实现的三端高输入电压、低压差、小输出电流电压稳压器。它的.... 发表于 06-09 10:26 •
普芯达GF90F0320产品手册 普芯达GF90F0320 产品收据手册,GF90F0320 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计.... 发表于 06-08 15:22 • 136次
说出入校门的学生,如何才能成为一名硬件工程师呢!把爱好发光发热到极致! 在学校,学了模电、数电等基础的课程,但目前面对密集的电路板是束手无策的不知从何下手可以搞懂它,又极其的对它充满好奇,因为... 发表于 06-08 00:21 • 4516次
低压CMOS器件ADG884英文手册 ADG884是一种低压CMOS器件,包含两个独立选择单刀双掷(SPDT)开关。该设备提供0.41Ω的.... 发表于 06-06 09:55 •
晶体振荡器(SPXO)SG-310系列手册 晶体振荡器(SPXO) 输出:CMOS SG- 310 系列规格书。 发表于 06-02 11:07 •
但同样重要的是,尺寸、性能、可靠性和功耗的改进也代表了传统嵌入式应用程序向前迈出的重要一步,无论.... 星星科技指导员 发表于 06-02 11:02 • 295次
西门子与GlobalFoundries合作提供可信硅光子验证 硅光子学使公司能够将光纤直接引入集成电路。然而,硅光子器件包含弯曲布局,而不是传统 CMOS 设.... 星星科技指导员 发表于 05-31 10:08 • 351次
挑战:无论是分捡水果和蔬菜还是检查运动鞋,在保证可靠性的前提下高速捕获准确的色彩和丰富的细节都要求相.... 21克888 发表于 05-27 14:50 • 1090次
5月24日, 半导体测试行业公益首播——《测试那些事儿》正式开场 ,数千名观众用热情点燃了直播间,打.... 方朵朵 发表于 05-25 11:36 • 472次
用于可靠的极低功耗系统的快速运算放大器 CMOS 运算放大器具有 1pA 典型值的极低输入偏置电流,使其适用于光电二极管和电荷检测电路等.... 星星科技指导员 发表于 05-24 10:21 • 463次
深圳黄鹂在招职位(1)公司简介:深圳黄鹂智能科技有限公司是一家2019年成立的人工智能创业企业,公司核心技术团队成员均来自清... 发表于 05-23 14:12 • 5332次
SM5623 系列是以 CMOS 工艺制造的超低静 态功耗、低压差线性稳压器。 1、简介 SM5623 系列是以 CMOS 工艺制造的超低静 态功耗、低压差... 发表于 05-10 11:37 • 2670次
每日推荐 | 硬件工程师经典试题资料及第九期送书福利 大家好,以下为飞外推荐每日好帖,欢迎留言点评讨论~推荐理由:包括以下项目介绍1、OpenHarmony3.1的分布式硬件... 发表于 04-12 10:24 • 10915次
1.刚毕业的应届生和工龄1-3年的工程师怎么样制定一份适合自己的职业规划 ,建议从事哪一个行业的硬件对... 发表于 03-05 10:51 • 4591次
最全的硬件工程师笔试试题集,需要完整版的朋友可以附件保存~号外!模电全套视频教程,张飞老师实战讲解(100... 发表于 01-29 21:21 • 2827次
EV-VN7010AJ EV-VN7010AJVN7010AJ评估板 的单IC应用板专用于VN7010AJ 提供电连接和热散热,易于成型 常规器件具有 使用的多传感模拟反馈 极低的待机电流 使用3伏和5伏CMOS输出 诊断功能 复用模拟的反馈:具有高精度比例电流镜,V CC 电源电压和T CHIP 设备温度 过载和短路到地(功率限制)指示 热关断指示 断开状态开放负载检测 输出短路到V CC 检测 感测启用/禁用 栅栏 欠压关断 过电压钳位 负载电流限制 自快速热瞬变的限制 可配置锁断有关过热或功率限制与专用故障复位销 的地损耗和损失V CC 反向电池与外部部件 静电放电保护 此板提供您连接意法半导体一种简单的方法... 发表于 05-21 02:05 • 295次
EV-VNQ7140AJ EV-VNQ7140AJVNQ7140AJ评估板 的单IC应用板专用于VNQ7140AJ 提供电连接和热散热,易于成型 常规器件具有 使用3伏和5伏CMOS输出 诊断功能 复用模拟的反馈:具有高精度比例电流镜,V CC 电源电压和TCHIP装置温度 过载和短路的负载电流接地(功率限制)指示 热关断指示 断开状态开放负载检测 输出短路到V CC 检测 感测启用/禁用 栅栏 欠压关断 过电压钳位 负载电流限制 自限制性快速热瞬变的 可配置拉TCH-OFF ON过热或功率限制与专用故障复位销 第V 的地面和损失损失CC 反向电池与外部部件 静电放电保护 此板提供您连接意法半导体一种简单的方法... 发表于 05-20 10:05 • 357次
EV-VN7020AJ EV-VN7020AJVN7020AJ评估板 的单IC应用板专用于VN7020AJ 提供电连接和热散热,易于成型 常规器件具有 使用的多传感模拟反馈 极低的待机电流 使用3伏和5伏CMOS输出 诊断功能 复用模拟的反馈:具有高精度比例电流镜,V CC 电源电压和T CHIP 设备温度 过载和短路到地(功率限制)指示 热关断指示 断开状态开放负载检测 输出短路到V CC 检测 感测启用/禁用 栅栏 欠压关断 过电压钳位 负载电流限制 自快速热瞬变的限制 可配置锁断有关过热或功率限制与专用故障复位销 的地损耗和损失V CC 反向电池与外部部件 静电放电保护 此板提供您连接意法半导体一种简单的方法... 发表于 05-20 10:05 • 305次
EV-VN7040AJ EV-VN7040AJVN7040AJ评估板 的单IC应用板专用于VN7040AJ-E 提供电连接和热散热,易于成型 常规器件具有 与多传感模拟反馈 极低的待机电流 单信道的智能高侧驱动器3伏和5伏CMOS输出 的多传感诊断功能 复用模拟的反馈:具有高精度比例电流镜,V CC 电源电压和T CHIP 设备温度 过载和短路到地(功率限制)指示 热关断指示 断开状态开放负载检测 输出短路到V CC 检测 感测启用/禁用 栅栏 欠压关断 过电压钳位 负载电流限制 自限制的快速热吨ransients 可配置锁断有关过热或功率限制与专用故障复位销 第V CC 反向电池与外部部件 静电放电保护 此板提供了一种简单的方式来连接意法半导体... 发表于 05-20 10:05 • 260次
EV-VND7030AJ EV-VND7030AJVND7030AJ评估板 的单IC应用板专用于VND7030AJ 提供电连接和热散热,易于成型 常规器件具有 双通道智能高侧驱动器,具有多传感模拟反馈 极低的待机电流 使用3伏和5伏CMOS输出 诊断功能 复用模拟的反馈:具有高精度比例电流镜,V CC 电源电压和T CHIP 设备温度 过载和短路到地(功率限制)指示 热关断指示 断开状态开放负载检测 输出短路到V CC 检测 感测启用/禁用 栅栏 欠压关断 过电压钳位 负载电流限制 自限制性快速热瞬变的 可配置锁断有关过热或功率限制与专用故障复位销 的地损耗和损失V CC 反向电池与外部部件 静电放电保护 此板提供您连接意法半导体一种简单的方法... 发表于 05-20 10:05 • 343次
AR0237AT CMOS图像传感器 数字 2.1 MP /全高清 1 / 2.7英寸 美半导体的AR0237AT是一款1 / 2.7英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为1928(H) 1088(V)。它可以在线性或高动态范围模式下捕获图像,并具有滚动快门读数。它包括复杂的相机功能,如像素内装箱,窗口以及视频和单帧模式。它专为低光和高动态范围的场景性能而设计。它可通过简单的双线串行接口进行编程。 AR0237AT可以产生非常清晰,清晰的数码照片,并且能够捕捉连续视频和单帧,使其成为各种应用的理想选择,包括监控和高清视频。
AR0238 RGB-IR CMOS图像传感器 2.1 MP 1 / 2.7 RGB-IR RGB-IR是一款1 / 2.7英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为1928(H)x 1088(V)。它采用滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如像素内合并,窗口以及视频和单帧模式。它专为低光和高动态范围场景性能而设计,可通过简单的双线串行接口进行编程。 AR0238 RGB-IR集成了在一个传感器中进行白天彩色成像和夜间近红外成像的能力,无需机械红外截止滤波器,这种滤波器可能响亮,大,导致重新聚焦问题并且维护成本高,非常适合家庭安全和其他监控应用,其中照明条件可能会在相机预期工作期间发生剧烈变化。
AR0234AT 带全局快门的1 / 2.6英寸2.3 Mp CMOS数字图像传感器 AT是1 / 2.6英寸2Mp CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为1920(H)x 1200(V)。它采用了全新的创新全局快门像素设计,针对以每秒120帧的全分辨率精确快速捕捉移动场景进行了优化。该传感器可在低光和明亮场景下产生清晰,低噪声的图像。它包括复杂的相机功能,如自动曝光控制,窗口,行跳过模式,列跳过模式,像素分级以及视频和单帧模式。它可通过简单的双线串行接口进行编程。 AR0234AT产生极其清晰,锐利的数字图像,具有业界领先的全局快门效率,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为包括汽车车厢系统在内的广泛应用的理想选择。
AR0230AT CMOS图像传感器 2 MP 1/3 AT是一款1 / 2.7英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为1928Hx1088V。它可以在线性或高动态范围模式下捕获图像,并具有滚动快门读数。它包括复杂的相机功能,如像素内装箱,窗口以及视频和单帧模式。它专为低光和高动态范围的场景性能而设计。它可通过简单的双线串行接口进行编程。 AR0230AT可生成非常清晰,锐利的数码照片,并且能够捕捉连续视频和单帧,使其成为各种应用的理想选择。
ARX3A0 560 x 560超低功耗CMOS图像传感器 基于2.2μmBSI像素 最高可达每秒360帧 是一款突破性的CMOS成像传感器。 ARX3A0设计为超小型(1/10英寸光学格式)和超低功耗,为物联网设备,无人机和机器人技术带来了新的选择。该产品具有创新的超级低功耗模式,在激活时功耗小于2.5mW,可以检测运动(或照明条件的变化)并唤醒系统的其余部分。能够达到每秒360帧意味着在许多情况下,ARX3A0可以像全局快门传感器一样工作,同时仍具有2.2 m滚动快门像素的功率,尺寸和性能的所有优势。评估套件和我们行业领先的DevWare评估软件是可用的。请联系您当地的安森美半导体销售代表。
AR0237SR CMOS图像传感器 2.1 MP 1 / 2.7 更低成本 是一款1 / 2.7英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为1928(H)x 1088(V)。它采用滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如像素内合并,窗口以及视频和单帧模式。它专为低光和高动态范围场景性能而设计,可通过简单的双线串行接口进行编程。 AR0237可以产生非常清晰,锐利的数码照片,并且能够捕捉连续视频和单帧,使其成为各种应用的理想选择,包括监控和高清视频。
AR1337 CMOS成像传感器 13 MP 采用SuperPD™PDAF技术 是一款采用SuperPD™PDAF技术的13万像素CMOS成像传感器。这款先进的传感器具有独特的PDAF微透镜和PDAF图案技术,在低光照条件下具有出色的自动对焦性能。采用1.1μm像素构建,提供符合行业标准的1 / 3.2“光学格式,使AR1337具有适合大批量设计的尺寸。图像质量由领先的量子效率和灵敏度驱动,同时保持低读取噪声。这种组合可在明亮的日光或低室内照明条件下提供出色的图像。 AR1337以每秒30帧的速度运行在13 MP,并支持每秒30帧的4k2k视频和高达每秒60帧的全高清1080P视频。 特性 优势 SuperPD™PDAF技术 领先的低光自动对焦性能 独特的PDAF图案和微透镜技术 高精度相位检测自动聚焦(PDAF)功能 片上坏像素校正和AF计算 简化的相机模块积分校准和与后端应用处理器的集成 具有低读取噪声的高量子效率和灵敏度 卓越的图像质量,尤其是在光线不足 应用 终端产品 智能手机相机 平板电脑相机 智能手机 平板电脑 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-29 17:02 • 751次
AR1011 CMOS图像传感器 10 MP 1 HS是一款1080万像素,1英寸光学格式图像传感器,结合了高分辨率成像和3.4微米DR-Pix(动态响应像素),可动态调整以提供卓越的低光性能。在全分辨率下,AR1011HS提供60帧/秒(fps)视频;同时跳至120 fps的1080p高清模式。该传感器非常适合需要高分辨率的高端监控摄像系统,如电子平移,倾斜,变焦(ePTZ)等具有惊人的低光能力的功能。 4K超高清(3840 x 2190)分辨率为每秒60帧的模式,使传感器也成为专业消费类广播相机的理想选择。 应用 相机 安全 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-29 17:02 • 453次
AR0239 CMOS图像传感器 2.3 MP 1 / 2.7 美半导体的AR0239是一款1 / 2.7英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为1936(H)×1188(V)。它可以在线性或高动态范围模式下捕获图像,并具有滚动快门读数。它包括复杂的相机功能,如像素内装箱,窗口以及视频和单帧模式。它专为低光和高动态范围的场景性能而设计。它可通过简单的双线串行接口进行编程。 AR0239可以产生非常清晰,锐利的数码照片,并且能够捕捉连续视频和单帧,使其成为各种应用的理想选择,包括监控和高清视频。 特性 以90 fps的速度拍摄2.3Mp以获得出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.7英寸 1080p模式适用于16:9视频 卓越的低光性能 3.0um大背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2 / T3读数以启用HDR处理ISP芯片处于1080P和30fps 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头着色校正 用于精确帧率控制的从模式 数据接口: - HiSPi(SLVS) - 4个车道 - MIPI CSI-2 - 4车道 - 平行 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 多相机同步支持 高速可配置上下文切换 具有灵... 发表于 07-29 16:02 • 807次
AR1335 CMOS图像传感器 13 MP 1/3 是一款1 / 3.2英寸CMOS有源像素数字图像传感器,像素阵列为4208H x 3120V。 AR1335数字图像传感器采用突破性的1.1μm像素技术,通过领先的灵敏度,量子效率和线性全阱提供卓越的低光图像质量。这使得图像质量可以与数码相机相媲美。 AR1335采用专注于低功耗的传感器架构和低Z高度的高射线角度(CRA),是智能手机和其他移动设备应用的理想选择。它集成了复杂的片上相机功能,如窗口,镜像,列和行跳过模式以及快照模式。它可通过简单的双线串行接口进行编程。 AR1335传感器可以高达每秒30帧(fps)的速度生成全分辨率图像,并支持高级视频模式,包括4K 30fps,1080P 60fps和720P 120fps。 特性 13MP CMOS传感器,采用先进的1.1μm像素BSI技术 数据接口:2,3和4通道MIPI 可用于MIPI的比特深度压缩:10-8和10-6以降低带宽 启用立体视频捕获的3D同步控制 6.8 kbits一次性可编程存储器(OTPM) 可编程控制器:增益,水平和垂直消隐,自动黑电平偏移校正,帧大小/速率,曝光,左右和上下图像反转,窗口大小和平移 两个片上锁相环路(PLL)振荡器,具有超低噪声性能 片上... 发表于 07-29 16:02 • 1196次
AR0543 CMOS图像传感器 5 MP 1/4 美半导体专注于卓越的像素性能,为该传感器的卓越图像质量奠定了基础,具有卓越的色彩精度,低光灵敏度和低噪声水平.AR0542是一款1/4英寸CMOS有源像素数字图像传感器集成了复杂的片上相机功能,如窗口,镜像,列和行跳过模式以及快照模式。它可通过简单的双线串行接口进行编程,功耗非常低。 应用 移动 电路图、引脚图和封装图 发表于 07-29 16:02 • 419次
AR0261 CMOS图像传感器 2 MP 1/6 美半导体的AR0261是一款200万像素传感器,可提供原始1080p分辨率和卓越的图像质量,满足严格的外形尺寸要求(z高度小于3.5mm),适用于移动,平板电脑和移动设备中的超薄全高清视频应用笔记本市场。该传感器具有1/6英寸光学格式和采用安森美半导体A-PixHS(tm)技术的新1.4微米像素,可提供出色的低光性能。新型传感器提供1080p / 60fps或720p / 60fps的高清视频,对于清晰,清晰的视频捕捉至关重要。 特性 具有高级1.4um像素BSI的2 MP CMOS传感器技术 数据接口:1和2通道移动行业处理器接口(MIPI) 可用于MIPI接口的比特深度压缩:10-8和10-6为全帧速率应用启用低带宽接收器 启用立体视频捕获的3D同步控件 隔行扫描多重曝光读数,支持高动态范围(HDR)静止和视频应用 8.8kbits一次性可编程存储器(OTPM),用于存储阴影校正系数和模块信息 可编程控制:增益,水平和垂直消隐,自动黑电平偏移校正,帧大小/速率,曝光,左右和上下图像反转,窗口大小和平移 用于改善EMI特性的片上双锁相环(PLL)振荡器结构 卓越的低光性能 低暗电流 简单的双线串行接口 ... 发表于 07-29 16:02 • 371次
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5 是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装... 发表于 07-29 16:02 • 1506次
AR0835 CMOS图像传感器 8 MP 1/3 图像传感器是一款1 / 3.2“光学格式1.4微米像素传感器,能够以每秒42帧的速度捕获其完整的8 MP传感器分辨率,以60fps的速度捕获1080P视频.A-PixHS(tm )技术将安森美半导体的第二代背照式(BSI)像素技术和先进的高速传感器架构结合在一起,实现了许多创新功能。它旨在实现低z高度相机模块,以满足OEM和移动设备制造商的需求。 特性 高动态范围 应用 移动 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-29 16:02 • 383次
AR0522 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5 近红外增强 是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0522可生成非常清晰,锐利的数码照片,并且能够捕捉连续视频和单帧,使其成为各种应用的理想选择。 特性 5 Mp,60 fps,优异的视频性能 小光学格式(1 / 2.5英寸) 彩色滤光片阵列:RGB和单色 1440p模式适用于16:9视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头着色校正 用于精确帧率控制的从模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4条车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 近红外线增强 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 机器视觉... 发表于 07-29 16:02 • 885次