IGBT是“InsulatedGateBipolarTransistor”的首字母缩写，中文名称是“绝缘栅双极晶体管”。通过结合MOSFET和双极晶体管，IGBT成为同时具备这两种器件优点的功率晶体管。IGBT有N沟道型和P沟道型两种，本文中以目前主流的N沟道型为例展开介绍。
N沟道IGBT的电路图符号及其等效电路如下。有些等效电路图会更详细一些，但这里为了便于理解，给出的是相对简单的示意图。包括结构在内，实际的产品会更复杂一些。有关结构等的详细内容将在后续文章中介绍。 IGBT具有栅极、集电极、发射极3个引脚。栅极与MOSFET相同，集电极和发射极与双极晶体管相同。IGBT与MOSFET一样通过电压控制端口，在N沟道型的情况下，对于发射极而言，在栅极施加正电压时，集电极-发射极导通，流过集电极电流。我们将另行介绍其工作和驱动方法。 前面已经介绍过，IGBT是结合了MOSFET和双极晶体管优点的晶体管。MOSFET由于栅极是隔离的，因此具有输入阻抗高、开关速度较快的优点，但缺点是在高电压时导通电阻较高。双极晶体管即使在高电压条件下导通电阻也很低，但存在输入阻抗低和开关速度慢的缺点。通过弥补这两种器件各自的缺点，IGBT成为一种具有高输入阻抗、高开关速度*、即使在高电压条件下也能实现低导通电阻的晶体管。 *开关速度比MOSFET慢，但比双极晶体管快。 IGBT和MOSFET等功率器件根据应用产品的使用条件和需求，物善其用，在与其相适合的应用中被区分使用，比如在高电压应用中使用IGBT，在低电压应用中则使用MOSFET。机器人放大器控制器具体的实现方案 基于PWM （Pulse Width Modulation，脉宽调制）放大器驱动方式的H桥式功率放.... 发表于 06-30 11:35 •
IBM的2nm制程芯片采用的是什么技术？IBM 2nm制程芯片采用GAA环绕栅极晶体管技术，晶体管密.... 我快闭嘴 发表于 06-29 17:43 • 203次
5纳米芯片是什么概念_5纳米芯片有多少晶体管 5纳米是指芯片的特征尺寸，特征尺寸越小，制造出来mos管就更小，成本也就更低。5纳米芯片意味着芯片更.... 姚小熊27 发表于 06-29 16:59 • 250次
全球首个2nm芯片是哪个国家的？全球首个研发出2nm芯片的国家亦不是台积电，也不是三星，更不是联发科.... 我快闭嘴 发表于 06-29 16:34 • 217次
变频器在设计上不断的推陈出新，为了提高功率密度并降低成本，工程师更是绞尽脑汁。IGBT（绝缘栅型双极.... 科技绿洲 发表于 06-29 11:20 • 221次
除了需要依靠尖端的EUV光刻机之外，芯片厂商本身也需要很深的技术底蕴，台积电对于技术的研发向来肯砸钱.... 倩倩 发表于 06-29 11:15 • 125次
交流电机三相对称的静止绕组A 、B 、C ，通以三相平衡的正弦电流时，产生的合成磁动势是旋转磁动势F.... 电机技术及应用 发表于 06-29 10:15 •
近日，台积电正式宣布称2nm工艺芯片技术方面实现了重大突破，并且计划在2025年进阶应用2nm工艺，.... lhl545545 发表于 06-29 09:20 • 625次
比亚迪半导体光伏装机量增势明显带火IGBT市场 光伏逆变器是太阳能光伏系统的“心脏”，而IGBT模块是光伏逆变器的核心组件，占逆变器成本的10%~1.... 比亚迪半导体 发表于 06-29 09:16 •
这种远程调频无线电发射器在振荡器级之后有一个额外的射频功率放大器级。额外的射频功率放大器用于将功率输.... 科技观察员 发表于 06-28 17:46 • 215次
在“碳达峰“、“碳中和”背景下，太阳能作为可再生、清洁能源的代表，其光伏规模化应用成为世界能源发展的.... 比亚迪半导体 发表于 06-28 15:16 • 150次
中科院研发2nm芯片 中科院攻克2nm芯片关键技术 现阶段全球芯片行业都聚焦在了2nm工艺制程上，台积电、IBM等芯片巨头也都相继宣布了2nm制程技.... 牵手一起梦 发表于 06-27 16:55 • 395次
2nm战争打响 台积电、三星激战2nm 日美深化尖端芯片合作，旨在超越2nm技术，台积电是 2 nm技术的领先开发者，而 IBM 也在 20.... 发表于 06-27 16:16 • 233次
2022年晶圆代工重心放置于十二英寸晶圆产能 TrendForce集邦咨询调查，2021~2024年全球晶圆代工产能年复合成长率达11%，其中28.... 发表于 06-27 11:23 • 332次
2nm芯片技术 2nm芯片带来的突破及对商业的影响 IBM突破了2nm的芯片研发技术，凭借2nm芯片的技术表现，将会在运算速度和应用前景得到质的飞跃.... 牵手一起梦 发表于 06-27 09:45 • 202次
ibm宣布研制出全球首个制程为2纳米的芯片，2nm芯片不仅仅是制造业的进步，也给芯片制造业提供了一个.... lhl545545 发表于 06-27 09:34 • 303次
知名IT巨头IBM制造全球第一颗基于GAA的2nm芯片，在半导体设计上实现了突破。与主流7nm芯.... 牵手一起梦 发表于 06-27 09:25 • 189次
全球首颗2nm芯片问世,震惊所有半导体厂商 2021年，IBM完成了2纳米技术的突破，IBM高调宣称推出2nm芯片，可使手机电池寿命延长三倍.... lhl545545 发表于 06-27 09:20 • 376次
前置放大器晶体管2SA1015/2SC1815前置放大器 pelatuk V2前置放大器所有晶体管 2SA1015 / 2SC1815。电源 -+15VDC
IBM宣布已推出全球首颗2nm制程芯片，至今为止一种最小、最强大的芯片，标志着IBM在芯片制造工艺领.... 我快闭嘴 发表于 06-24 17:45 • 492次
目前，IBM已成功研制出全球首款采用2nm工艺的芯片，意味着IBM在半导体设计和芯片制造工艺上实现了.... 我快闭嘴 发表于 06-24 17:20 • 488次
全球首颗2nm芯片 美国联合三星突破2nm芯片 早在2021年5月份美国的IBM公司就成功研制出2nm芯片的制造技术，2nm芯片的产生也预示着半.... 牵手一起梦 发表于 06-24 11:59 • 456次
芯片达到2nm以后如何发展？IBM是第一个发布2nm芯片技术制程工艺的企业，2nm芯片电池的寿命将提.... lhl545545 发表于 06-24 09:33 • 238次
IBM首发2nm芯片技术，芯片对于很多行业来说都十分重要，他们将成为世界上第一款采用2nm纳米片技术.... lhl545545 发表于 06-24 09:15 • 289次
由于电驱动系统噪音频谱宽度较大，一般采用劈尖状消音片。其可有效散射噪音同时消音效果较好，但成本较高。.... 要长高 发表于 06-23 15:20 • 3917次
在2022年6月16日北美技术论坛会议上，台积电首次宣布将推出下一代先进N2工艺制程，同时也介绍.... 牵手一起梦 发表于 06-23 09:39 • 176次
2nm芯片亮相，对于整个半导体产业都有非常重要的意义。虽然短期内，2nm工艺芯片无法规模量产，但通过.... 倩倩 发表于 06-23 09:34 • 161次
2nm芯片是哪个国家研制的 2nm芯片什么时候量产 据相关消息报道，现阶段台积电正在研发更先进的2nm制程工艺，采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术.... 牵手一起梦 发表于 06-23 09:15 • 111次
2nm芯片是哪个国家研制的_2nm芯片是极限吗 随着自动驾驶、5G及物联网的基础设施建设，芯片的需求也越来越大，应用也愈加广泛，在当今的科技竞争中，.... 姚小熊27 发表于 06-22 16:09 • 397次
在全球芯片先进制程追逐战中，IBM亮处了其生产的全球首款2nm芯片，台积电和三星表示将在2024年左.... 汽车玩家 发表于 06-22 14:42 • 333次
拓扑声学晶体管为无耗散电子电路指明方向 但制造声学拓扑晶体管同样不容易。“我们知道，我们的拓扑逻辑方法是可行的，但仍然需要找到切实可行的材料.... IEEE电气电子工程师 发表于 06-22 14:23 •
2021年5月6日，IBM宣布，该公司已开发出全球首个采用2nm技术的芯片，在半导体设计上实现了突破.... 科技大小事 发表于 06-22 11:21 • 418次
2nm芯片是多少厘米？芯片中的nm代表着什么？ 关于芯片，很多人都不太了解，只是偶尔会看见一些关于台积电、三星2nm芯片的新闻，那么一定有人会好奇，.... 汽车玩家 发表于 06-22 10:39 • 286次
今年五月份，IBM成功推出了2nm的测试芯片，可容纳500亿颗晶体管，IBM成功将500亿个晶圆体容.... lhl545545 发表于 06-22 09:52 • 239次
用于大功率和频率应用的舍入 GaN 基晶体管 针对可靠的高功率和高频率电子设备，制造商正在研究氮化镓(GaN)来制造具有高开关频率的场效应晶体管(FET)由于硅正在接近其理... 发表于 06-15 11:43 • 5764次
你知道IGBT的短路保护对逆变电源的重要性吗？ 由于逆变电源在电路中肩负着直流和交流之间的转换，所以其安全性就显得尤为重要。如果逆变电源出现短路的情况，那么就有可能出现... 发表于 06-08 16:03 • 4303次
IGBT模块的选择 要确定主电路拓扑结构，这个和IGBT选型密切相关，额定工作电流、过载系数、散热条件决定了IGBT模块的额定电流参数，额定... 发表于 05-10 10:06 • 724次
IGBT作为核心部件的工作原理 IGBT，英文全称Insulated Gate Bipolar Transistor，即绝缘栅双极型晶体管，是能量转换与传输的核心器件，动力电子装置的... 发表于 05-10 09:54 • 2488次
IGBT 是一种功率开关晶体管，它结合了 mosfet 和 bjt 的优点，用于电源和电机控制电路绝缘栅极双极性晶体管也简称为 I... 发表于 04-29 10:55 • 7256次
生活中有各种各样的电源，其中就有一款叫高频开关电源系统，什么是高频开关电源系统？它有什么作用？高频开关电源（也称为开关... 发表于 04-27 15:30 • 2362次
ICM-20649 TDKInvenSenseICM206496轴MEMSMotionTracking器件 venSense ICM-20649 6轴MEMS MotionTracking™器件通过提供撞击前、撞击期间和撞击后的连续运动传感器数据，对接触类运动应用进行精确的分析。这样即可为足球、篮球、高尔夫、网球等运动提供更加精确的反馈。TDK InvenSense ICM-20649采用小型3mm x 3mm x 0.9mm 24引脚QFN封装，可针对陀螺仪实现±4000dps的扩展满量程范围 (FSR)，针对加速度计实现±30g的扩展满量程范围。其他主要特性包括片上16位ADC、运行时校准固件、可编程数字滤波器、嵌入式温度传感器和可编程中断。通过高达100kHz（标准模式）或高达400kHz（快速模式）的IC，或者高达7MHz的SPI，可与该器件进行通信。
MAX20030BATMA/V+ Maxim Integrated MAX20030/1汽车降压控制器 Integrated MAX20030和MAX20031汽车降压控制器是2.2MHz双路同步降压控制器，集成了预升压控制器和低I LDO。该预升压控制器支持V和V在冷启动操作期间保持稳压，直至电池输入低至2V。MAX20030和MAX20031设有两个高压同步降压控制器，可在180°异相下工作。这些器件的输入 电压为3.5V至42.0V，可通过97%占空比在低压差条件下运行。这些降压控制器非常适合用于可在宽输入电压范围（如汽车冷启动或发动机停止启动条件）内工作，具有中高功率要求的应用。
MAX16926GTP/V+ Maxim Integrated MAX16926汽车显示器电源解决方案 Integrated MAX16926汽车显示器电源解决方案是一款4通道电源管理IC。MAX16926设计用于安装现代汽车TFT显示器中使用的主电源轨。MAX16926和MAX20069 TFT电源和LED背光驱动器可以为汽车显示器电源要求提供双芯片解决方案。
STPSC2H065B-TR STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管 oelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管是一款超高性能功率肖特基二极管。该器件采用宽带隙材料，可以设计具有650V额定电压的肖特基二极管结构。得益于肖特基结构，在关闭时不会显示恢复，且振铃模式可以忽略不计。即使是最轻微的电容式关断特性也不受温度影响。这些器件特别适用于PFC应用，它们可以提高硬开关条件下的性能。高正向浪涌能力确保在瞬态阶段具有良好的稳健性。
MAX20766EPE+ Maxim Integrated MAX20766智能从设备IC Integrated MAX20766智能从设备IC设计用于用于搭配Maxim第七代控制器使用，实现高密度多相稳压器。多达六个智能从设备集成电路加一个控制器集成电路，组成紧凑的同步降压转换器，它可以通过SMBus/PMBus™实现精确的单独相电流和温度报告。
ICS-40730 TDKInvenSenseICS40730低噪声麦克风 venSense ICS-40730低噪声麦克风是一款差分模拟输出、底部端口式微机电系统 (MEMS) 麦克风。ICS-40730集成有MEMS麦克风元件、阻抗转换器、差分输出放大器和增强型射频封装。该款低噪声麦克风具有高达74dBA的SNR、-32dBV差分灵敏度、-38dBV单端灵敏度、124dB SPL声学过载点以及±2dB灵敏度容差。典型应用包括飞外网居设备、智能手机、电话会议系统、安防、监控、麦克风阵列、语音控制和激活。
MAX22025AWA+ Maxim Integrated MAX2202x/F隔离式RS-485/RS-422收发器 Integrated MAX2202x/F隔离式RS-485/RS-422收发器可在器件的电缆侧（RS-485/RS-422驱动器/接收器侧）和UART侧之间提供3.5kVRMS数字电流隔离。当两个端口之间存在较大的接地电位差时，隔离通过中断接地环路来改善通信，并降低噪声。这些器件允许高达0.5Mbps或16Mbps的稳健通信。
MAX2202x/F RS-485/RS-422 Maxim AutoDirection RS-485 MAX22025 MAX22027 MAX22025F MAX22027F &#... 发表于 11-09 09:07 • 380次
ICS-40212 TDKInvenSenseICS40212模拟麦克风 venSense ICS-40212模拟麦克风是一款微机电系统 (MEMS) 麦克风，具有极高动态范围和低功耗常开模式。该麦克风包含MEMS麦克风元件、阻抗转换器和输出放大器。ICS-40212在电源电压低于2V且工作电流为55μA时，采用低功耗工作模式。
ICS-40638 TDKInvenSenseICS40638AOP模拟MEMS麦克风 venSense ICS-40638高声学过载点 (AOP) 模拟MEMS麦克风（带差分输出）具有极高的动态范围，工作温度高达105°C。ICS-40638包括一个MEMS麦克风元件、一个阻抗转换器和一个差分输出放大器。该麦克风具有138dB声压级 (SPL) 声学过载点、±1dB小灵敏度容差以及对辐射和传导射频干扰的增强抗扰度。该系列具有35Hz至20kHz扩展频率响应，采用紧凑型3.50mm × 2.65mm × 0.98 mm底部端口表面贴装封装。TDK InvenSense ICS-40638 AOP模拟MEMS麦克风应用包括汽车、相机和摄像机以及物联网 (IoT) 设备。
DK-42688-P TDKInvenSenseDK42688P评估板 venSense DK-42688-P评估板是用于ICM-42688-P高性能6轴运动传感器的全面开发平台。该评估板设有用于编程和调试的板载嵌入式调试器和用于主机接口的USB连接器，可支持软件调试和传感器数据记录。DK-42688-P平台设计采用Microchip G55 MCU，可用于快速评估和开发基于ICM-42688-P的解决方案。TDK InvenSense DK-42688-P评估板配有必要的软件，包括基于GUI的开发工具InvenSense Motion Link，以及用于ICM-42688-P的嵌入式运动驱动器。
STM32L4P5AGI6 STMicroelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU) oelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU) 不仅扩展了超低功耗产品组合，还提高了产品性能，采用Arm® 树皮-M4内核（具有DSP和浮点单元 (FPU)，频率为120MHz）。STM32L4P5产品组合具有512KB至1MB闪存，采用48-169引脚封装。STM32L4Q5具有1MB闪存，提供额外加密加速器引擎（AES、HASH和PKA）。
ICS-52000 TDKInvenSenseICS52000带TDM数字输出的低噪声麦克风 venSense ICS‐52000是一款低噪声数字TDM输出底部端口麦克风，采用4mm × 3mm × 1mm小尺寸表面贴装封装。 该器件由MEMS传感器、信号调理、模数转换器、抽取和抗混叠滤波器、电源管理以及行业标准的24位TDM接口组成。 借助TDM接口，包括多达16个ICS‐52000麦克风的阵列可直接连接诸如DSP和微控制器等数字处理器，无需在系统中采用音频编解码器。 阵列中的所有麦克风都同步对其声信号进行采样，从而实现精确的阵列处理。 ICS‐52000具有65dBA的高SNR和宽带频率响应。 灵敏度容差为±1dB，可实现无需进行系统校准的高性能麦克风阵列。 ICS-52000具有两种电源状态：正常运行和待机模式。 该麦克风具有软取消静音功能，可防止上电时发出声音。 从ICS-52000开始输出数据时开始，音量将在256WS时钟周期内上升到满量程输出电平。 采样率为48kHz，该取消静音序列大约需要5.3ms。
The ICS 52000 features a high SNR of 65dBA and a wideband frequency response. The sensitivity tolerance is 1dB enabling high performance micropho... 发表于 11-05 17:07 • 225次
IAM-20380 TDKInvenSenseIAM20380高性能陀螺仪 venSense IAM-20380高性能陀螺仪具有0.5VDD至4V电压范围、400kHz时钟频率以及-40°C至+85°C工作温度范围。IAM-20380具有3轴集成，因此制造商无需对分立器件进行昂贵且复杂的系统级集成。TDK InvenSense IAM-20380高性能陀螺仪非常适合用于汽车报警器、远程信息处理和保险车辆追踪应用。
MPF5024AMMA0ES NXP Semiconductors PF502x电源管理集成电路 502x电源管理集成电路 (PMIC) 在一个器件中集成了多个高性能降压稳压器。PF502x PMIC既可用作独立的负载点稳压器IC，也可用作较大PMIC的配套芯片。
T3902 TDKInvenSenseT3902低功耗多模麦克风 vensense T3902低功耗多模麦克风具有185µA至650µA电流范围、36Hz至>20kHz额定频率以及3.5mm × 2.65mm × 0.98mm表面贴装封装。T3902麦克风由一个MEMS麦克风元件和一个阻抗转换器放大器，以及之后的一个四阶调制器组成。T3902系列具有高性能、低功耗、标准和睡眠等工作模式。TDK Invensense T3902低功耗多模麦克风非常适合用于智能手机、相机、平板电脑以及安全和监控应用。
ICS-40740 TDKInvenSenseICS40740超低噪声麦克风 venSense ICS-40740超低噪声麦克风具有超低噪声、高动态范围、差分模拟输出和1个底部端口。TDK InvenSense ICS-40740器件采用MEMS麦克风元件、阻抗转换器、差分输出放大器和增强型射频封装。ICS-40740器件具有70dB SNR和±1dB灵敏度容差，因此非常适合用于麦克风阵列和远场语音控制应用。
IAM-20680 TDKIAM20680 MEMSMotion Tracking器件 venSense IAM-20680 6轴MotionTracking器件在3mm x 3mm x 0.75mm的小尺寸封装中集成了3轴陀螺仪和3轴加速度计。IAM-飞外0器件具有片上16位ADC、可编程数字滤波器、嵌入式温度传感器和可编程中断。TDK InvenSense IAM-20680 6轴MotionTracking器件非常适合用于360 视角相机稳定、汽车报警器和远程信息处理应用。
MAXM17720AMB+ Maxim Integrated MAXM17712/20/24 PMIC Integrated MAXM17712/20/24电源管理专用IC (PMIC) 是飞外网微型系统级IC ( SLIC) 电源模块，可实现散热更好、尺寸更小、更加简单的电源解决方案。这些IC将高效率150 mA同步降压直流-直流转换器和高PSRR、低噪声、50mA线性稳压器集成到 SLIC 电源模块中。该PMIC在4V至60V宽输入电压范围内工作。该降压转换器和线性稳压器可提供高达150mA和50mA输出电流。
直流-直流转换器的输出用作线性稳压器的输入。这些线性稳压器在不同模块中提供1.2V至3.3V固定输出电压。MAXM17712/20/24模块采用薄型设计，采用2.6mmx3mmx1.5mm SLIC封装。典型应用包括工业传感器、暖通空调和楼宇控制、电池供电设备以及LDO替代品。
MAX40027ATC/VY+ Maxim Integrated MAX40027双路高速比较器 MAX40027双路高速比较器具有280ps典型传播延迟。这些比较器具有极低过驱分散（25ps，典型值），因此非常适合用于飞行时间、距离测量应用。该器件的输入共模范围为1.5V至V+ 0.1V，与MAX40658、MAX40660和MAX40661等多个广泛使用的高速跨阻放大器的输出摆幅兼容。输出级为LVDS（低压差分信号），有助于最大限度地降低功耗，直接与诸多FPGA和CPU连接。互补输出有助于抑制每个输出线上的共模噪声。MAX40027采用小型、节省空间的3mm x 2mm、12引脚TDFN封装，带侧面可湿性侧翼，符合AEC-Q100汽车级认证要求。MAX40027的工作温度范围为-40 C至+125 C，可在2.7V至3.6V电源电压下工作。
LPC55S66JBD64K NXP Semiconductors LPC55S6x Arm® Cortex®-M33微控制器 miconductors LPC55S6x Arm Cortex-M33微控制器 (MCU) 采用Arm双核和Arm TrustZone 技术，适用于工业、楼宇自动化、物联网 (IoT) 边缘计算、诊断设备和消费电子应用。这些器件基于Armv8-M架构，采用低功耗40nm嵌入式闪存工艺，具有先进的安全特性。